Suomi

Valitse kieli

EnglishRepublika e ShqipërisëالعربيةGaeilgeEesti VabariikEuskeraБеларусьБългарски езикíslenskapolskiAfrikaansDanskDeutschрусскийFrançaisPilipinoSuomiҚазақша한국의NederlandČeštinaHrvatskaLatviešulietuviųromânescMelayuMaoriবাংলা ভাষারမြန်မာKongeriketPortuguêsپښتوSvenskaCрпскиසිංහලSlovenskáSlovenijaภาษาไทยTürk diliاردوУкраїнаO'zbekespañolעִבְרִיתΕλλάδαMagyarországItaliaIndonesiaTiếng Việt

Luokat

  1. Integroidut piirit (IC)

    Integroidut piirit (IC)

  2. Discrete Semiconductor Products
  3. kondensaattorit
  4. RF / IF ja RFID
  5. vastukset
  6. Anturit, muuntimet

    Anturit, muuntimet

  7. releet
  8. Virtalähteet - Board Mount
  9. Eristeet
  10. Induktorit, kelat, kuristimet
  11. Liittimet, Liitännät

    Liittimet, Liitännät

  12. Piirin suojaus
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > IRF530
IRF530
STMicroelectronics

IRF530

STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 14A TO-220
Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva

Pyydä hinta & lead time

IRF530 ovat käytettävissä, voimme toimittaa IRF530, käytä pyyntö lainaus lomaketta pyytää IRF530 pirce ja läpimenoaika.Atosn.com on ammattimainen elektronisten komponenttien jakelija.Meillä on suuri varastomäärä ja voimme toimittaa sen nopeasti, ota meihin yhteyttä jo tänään, ja myyntiedustajamme antaa sinulle hinnan ja toimituksen yksityiskohdat osassa IRF530.ja tekninen tiimi, odotamme innolla yhteistyötä kanssasi.


Pyydä tarjous

  • Osanumero:
  • Määrä:
  • Tavoitehinta:(USD)
  • Yhteyshenkilön nimi:
  • Sähköpostisi:
  • Puh:
  • Kommentit:

Tuoteparametrit

Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Vgs (Max)
±20V
teknologia
MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package
TO-220AB
Sarja
STripFET™ II
RDS (Max) @ Id, Vgs
160 mOhm @ 7A, 10V
Tehonkulutus (Max)
60W (Tc)
Pakkaus
Tube
Pakkaus / Case
TO-220-3
Muut nimet
497-2780-5
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL)
1 (Unlimited)
Lyijytön tila / RoHS-tila
Contains lead / RoHS non-compliant
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
458pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
21nC @ 10V
FET tyyppi
N-Channel
FET Ominaisuus
-
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Valua lähde jännite (Vdss)
100V
Yksityiskohtainen kuvaus
N-Channel 100V 14A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
14A (Tc)

Samankaltaisia ​​tuotteita