ULN2003LVDR
Pyydä hinta & lead time
ULN2003LVDR ovat käytettävissä, voimme toimittaa ULN2003LVDR, käytä pyyntö lainaus lomaketta pyytää ULN2003LVDR pirce ja läpimenoaika.Atosn.com on ammattimainen elektronisten komponenttien jakelija.Meillä on suuri varastomäärä ja voimme toimittaa sen nopeasti, ota meihin yhteyttä jo tänään, ja myyntiedustajamme antaa sinulle hinnan ja toimituksen yksityiskohdat osassa ULN2003LVDR.ja tekninen tiimi, odotamme innolla yhteistyötä kanssasi.
Pyydä tarjous
Tuoteparametrit
- Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max)
- 50V
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
- 1.6V @ 500µA, 350mA
- transistori tyyppi
- 7 NPN Darlington
- Toimittaja Device Package
- 16-SOIC
- Sarja
- -
- Virta - Max
- -
- Pakkaus
- Cut Tape (CT)
- Pakkaus / Case
- 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Muut nimet
- 296-30403-1
- Käyttölämpötila
- -40°C ~ 85°C (TA)
- Kosteuden herkkyys (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Valmistajan toimitusaika
- 8 Weeks
- Lyijytön tila / RoHS-tila
- Lead free / RoHS Compliant
- Taajuus - Siirtyminen
- -
- Yksityiskohtainen kuvaus
- Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA 16-SOIC
- DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
- -
- Nykyinen - Collector Cutoff (Max)
- 50µA
- Nykyinen - Collector (le) (Max)
- 500mA
- Perusosan osanumero
- ULN2003LV
Samankaltaisia tuotteita
- ULN2003LVDR
- ULN2003LVDR-tietolomake
- ULN2003LVDR-tietolomake
- ULN2003LVDR pdf -taulukko
- Lataa ULN2003LVDR-tietolomake
- ULN2003LVDR-kuva
- ULN2003LVDR osa