Suomi

Valitse kieli

EnglishRepublika e ShqipërisëالعربيةGaeilgeEesti VabariikEuskeraБеларусьБългарски езикíslenskapolskiAfrikaansDanskDeutschрусскийFrançaisPilipinoSuomiҚазақша한국의NederlandČeštinaHrvatskaLatviešulietuviųromânescMelayuMaoriবাংলা ভাষারမြန်မာKongeriketPortuguêsپښتوSvenskaCрпскиසිංහලSlovenskáSlovenijaภาษาไทยTürk diliاردوУкраїнаO'zbekespañolעִבְרִיתΕλλάδαMagyarországItaliaIndonesiaTiếng Việt

Luokat

  1. Integroidut piirit (IC)

    Integroidut piirit (IC)

  2. Discrete Semiconductor Products
  3. kondensaattorit
  4. RF / IF ja RFID
  5. vastukset
  6. Anturit, muuntimet

    Anturit, muuntimet

  7. releet
  8. Virtalähteet - Board Mount
  9. Eristeet
  10. Induktorit, kelat, kuristimet
  11. Liittimet, Liitännät

    Liittimet, Liitännät

  12. Piirin suojaus
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > STW43NM60N
STW43NM60N
STMicroelectronics

STW43NM60N

STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 35A TO-247
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva

Pyydä hinta & lead time

STW43NM60N ovat käytettävissä, voimme toimittaa STW43NM60N, käytä pyyntö lainaus lomaketta pyytää STW43NM60N pirce ja läpimenoaika.Atosn.com on ammattimainen elektronisten komponenttien jakelija.Meillä on suuri varastomäärä ja voimme toimittaa sen nopeasti, ota meihin yhteyttä jo tänään, ja myyntiedustajamme antaa sinulle hinnan ja toimituksen yksityiskohdat osassa STW43NM60N.ja tekninen tiimi, odotamme innolla yhteistyötä kanssasi.


Pyydä tarjous

  • Osanumero:
  • Määrä:
  • Tavoitehinta:(USD)
  • Yhteyshenkilön nimi:
  • Sähköpostisi:
  • Puh:
  • Kommentit:

Tuoteparametrit

Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Vgs (Max)
±30V
teknologia
MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package
TO-247-3
Sarja
MDmesh™ II
RDS (Max) @ Id, Vgs
88 mOhm @ 17.5A, 10V
Tehonkulutus (Max)
255W (Tc)
Pakkaus
Tube
Pakkaus / Case
TO-247-3
Muut nimet
497-8460-5
Käyttölämpötila
150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL)
1 (Unlimited)
Lyijytön tila / RoHS-tila
Lead free / RoHS Compliant
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
4200pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
130nC @ 10V
FET tyyppi
N-Channel
FET Ominaisuus
-
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Valua lähde jännite (Vdss)
600V
Yksityiskohtainen kuvaus
N-Channel 600V 35A (Tc) 255W (Tc) Through Hole TO-247-3
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
35A (Tc)

Samankaltaisia ​​tuotteita