Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > STW3N170
STW3N170
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1700V 2.6A TO247-3
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Pyydä hinta & lead time
STW3N170 ovat käytettävissä, voimme toimittaa STW3N170, käytä pyyntö lainaus lomaketta pyytää STW3N170 pirce ja läpimenoaika.Atosn.com on ammattimainen elektronisten komponenttien jakelija.Meillä on suuri varastomäärä ja voimme toimittaa sen nopeasti, ota meihin yhteyttä jo tänään, ja myyntiedustajamme antaa sinulle hinnan ja toimituksen yksityiskohdat osassa STW3N170.ja tekninen tiimi, odotamme innolla yhteistyötä kanssasi.
Pyydä tarjous
Tuoteparametrit
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 5V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±30V
- teknologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Toimittaja Device Package
- TO-247-3
- Sarja
- PowerMESH™
- RDS (Max) @ Id, Vgs
- 13 Ohm @ 1.3A, 10V
- Tehonkulutus (Max)
- 160mW
- Pakkaus
- Tube
- Pakkaus / Case
- TO-247-3
- Muut nimet
- 497-16332-5
- Käyttölämpötila
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Asennustyyppi
- Through Hole
- Kosteuden herkkyys (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Valmistajan toimitusaika
- 42 Weeks
- Lyijytön tila / RoHS-tila
- Lead free / RoHS Compliant
- Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
- 1100pF @ 100V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 44nC @ 10V
- FET tyyppi
- N-Channel
- FET Ominaisuus
- -
- Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Valua lähde jännite (Vdss)
- 1700V
- Yksityiskohtainen kuvaus
- N-Channel 1700V 2.6A (Tc) 160mW Through Hole TO-247-3
- Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
- 2.6A (Tc)
Samankaltaisia tuotteita
- STMicroelectronics STW3N170
- STW3N170-tietolomake
- STW3N170-tietolomake
- STW3N170 pdf -taulukko
- Lataa STW3N170-tietolomake
- STW3N170-kuva
- STW3N170 osa
- ST STW3N170
- STMicroelectronics STW3N170