Suomi

Valitse kieli

EnglishRepublika e ShqipërisëالعربيةGaeilgeEesti VabariikEuskeraБеларусьБългарски езикíslenskapolskiAfrikaansDanskDeutschрусскийFrançaisPilipinoSuomiҚазақша한국의NederlandČeštinaHrvatskaLatviešulietuviųromânescMelayuMaoriবাংলা ভাষারမြန်မာKongeriketPortuguêsپښتوSvenskaCрпскиසිංහලSlovenskáSlovenijaภาษาไทยTürk diliاردوУкраїнаO'zbekespañolעִבְרִיתΕλλάδαMagyarországItaliaIndonesiaTiếng Việt

Luokat

  1. Integroidut piirit (IC)

    Integroidut piirit (IC)

  2. Discrete Semiconductor Products
  3. kondensaattorit
  4. RF / IF ja RFID
  5. vastukset
  6. Anturit, muuntimet

    Anturit, muuntimet

  7. releet
  8. Virtalähteet - Board Mount
  9. Eristeet
  10. Induktorit, kelat, kuristimet
  11. Liittimet, Liitännät

    Liittimet, Liitännät

  12. Piirin suojaus
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > STP80N20M5
STP80N20M5
STMicroelectronics

STP80N20M5

STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 61A TO-220
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva

Pyydä hinta & lead time

STP80N20M5 ovat käytettävissä, voimme toimittaa STP80N20M5, käytä pyyntö lainaus lomaketta pyytää STP80N20M5 pirce ja läpimenoaika.Atosn.com on ammattimainen elektronisten komponenttien jakelija.Meillä on suuri varastomäärä ja voimme toimittaa sen nopeasti, ota meihin yhteyttä jo tänään, ja myyntiedustajamme antaa sinulle hinnan ja toimituksen yksityiskohdat osassa STP80N20M5.ja tekninen tiimi, odotamme innolla yhteistyötä kanssasi.


Pyydä tarjous

  • Osanumero:
  • Määrä:
  • Tavoitehinta:(USD)
  • Yhteyshenkilön nimi:
  • Sähköpostisi:
  • Puh:
  • Kommentit:

Tuoteparametrit

Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Vgs (Max)
±25V
teknologia
MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package
TO-220AB
Sarja
MDmesh™ V
RDS (Max) @ Id, Vgs
23 mOhm @ 30.5A, 10V
Tehonkulutus (Max)
190W (Tc)
Pakkaus
Tube
Pakkaus / Case
TO-220-3
Muut nimet
497-10715-5
Käyttölämpötila
150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL)
1 (Unlimited)
Lyijytön tila / RoHS-tila
Lead free / RoHS Compliant
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
4329pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
104nC @ 10V
FET tyyppi
N-Channel
FET Ominaisuus
-
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Valua lähde jännite (Vdss)
200V
Yksityiskohtainen kuvaus
N-Channel 200V 61A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-220AB
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
61A (Tc)

Samankaltaisia ​​tuotteita