Suomi

Valitse kieli

EnglishRepublika e ShqipërisëالعربيةGaeilgeEesti VabariikEuskeraБеларусьБългарски езикíslenskapolskiAfrikaansDanskDeutschрусскийFrançaisPilipinoSuomiҚазақша한국의NederlandČeštinaHrvatskaLatviešulietuviųromânescMelayuMaoriবাংলা ভাষারမြန်မာKongeriketPortuguêsپښتوSvenskaCрпскиසිංහලSlovenskáSlovenijaภาษาไทยTürk diliاردوУкраїнаO'zbekespañolעִבְרִיתΕλλάδαMagyarországItaliaIndonesiaTiếng Việt

Luokat

  1. Integroidut piirit (IC)

    Integroidut piirit (IC)

  2. Discrete Semiconductor Products
  3. kondensaattorit
  4. RF / IF ja RFID
  5. vastukset
  6. Anturit, muuntimet

    Anturit, muuntimet

  7. releet
  8. Virtalähteet - Board Mount
  9. Eristeet
  10. Induktorit, kelat, kuristimet
  11. Liittimet, Liitännät

    Liittimet, Liitännät

  12. Piirin suojaus
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > STP170N8F7
STP170N8F7
STMicroelectronics

STP170N8F7

STMicroelectronics
MOSFET N-CH 80V 120A TO-220AB
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva

Pyydä hinta & lead time

STP170N8F7 ovat käytettävissä, voimme toimittaa STP170N8F7, käytä pyyntö lainaus lomaketta pyytää STP170N8F7 pirce ja läpimenoaika.Atosn.com on ammattimainen elektronisten komponenttien jakelija.Meillä on suuri varastomäärä ja voimme toimittaa sen nopeasti, ota meihin yhteyttä jo tänään, ja myyntiedustajamme antaa sinulle hinnan ja toimituksen yksityiskohdat osassa STP170N8F7.ja tekninen tiimi, odotamme innolla yhteistyötä kanssasi.


Pyydä tarjous

  • Osanumero:
  • Määrä:
  • Tavoitehinta:(USD)
  • Yhteyshenkilön nimi:
  • Sähköpostisi:
  • Puh:
  • Kommentit:

Tuoteparametrit

Vgs (th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Vgs (Max)
±20V
teknologia
MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package
TO-220
Sarja
STripFET™ F7
RDS (Max) @ Id, Vgs
3.9 mOhm @ 60A, 10V
Tehonkulutus (Max)
250W (Tc)
Pakkaus
Tube
Pakkaus / Case
TO-220-3
Muut nimet
497-16008-5
STP170N8F7-ND
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL)
1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika
38 Weeks
Lyijytön tila / RoHS-tila
Lead free / RoHS Compliant
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
8710pF @ 40V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
120nC @ 10V
FET tyyppi
N-Channel
FET Ominaisuus
-
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Valua lähde jännite (Vdss)
80V
Yksityiskohtainen kuvaus
N-Channel 80V 120A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
120A (Tc)

Samankaltaisia ​​tuotteita