Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > STP25N60M2-EP
STP25N60M2-EP
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 18A EP TO220AB
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Pyydä hinta & lead time
STP25N60M2-EP ovat käytettävissä, voimme toimittaa STP25N60M2-EP, käytä pyyntö lainaus lomaketta pyytää STP25N60M2-EP pirce ja läpimenoaika.Atosn.com on ammattimainen elektronisten komponenttien jakelija.Meillä on suuri varastomäärä ja voimme toimittaa sen nopeasti, ota meihin yhteyttä jo tänään, ja myyntiedustajamme antaa sinulle hinnan ja toimituksen yksityiskohdat osassa STP25N60M2-EP.ja tekninen tiimi, odotamme innolla yhteistyötä kanssasi.
Pyydä tarjous
Tuoteparametrit
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 4.75V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±25V
- teknologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Toimittaja Device Package
- TO-220
- Sarja
- MDmesh™ M2-EP
- RDS (Max) @ Id, Vgs
- 188 mOhm @ 9A, 10V
- Tehonkulutus (Max)
- 150W (Tc)
- Pakkaus
- Tube
- Pakkaus / Case
- TO-220-3
- Muut nimet
- 497-15892-5
- Käyttölämpötila
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Asennustyyppi
- Through Hole
- Kosteuden herkkyys (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Valmistajan toimitusaika
- 42 Weeks
- Lyijytön tila / RoHS-tila
- Lead free / RoHS Compliant
- Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
- 1090pF @ 100V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 29nC @ 10V
- FET tyyppi
- N-Channel
- FET Ominaisuus
- -
- Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Valua lähde jännite (Vdss)
- 600V
- Yksityiskohtainen kuvaus
- N-Channel 600V 18A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220
- Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
- 18A (Tc)
Samankaltaisia tuotteita
- STMicroelectronics STP25N60M2-EP
- STP25N60M2-EP-tietolomake
- STP25N60M2-EP-tietolomake
- STP25N60M2-EP pdf -taulukko
- Lataa STP25N60M2-EP-tietolomake
- STP25N60M2-EP-kuva
- STP25N60M2-EP osa
- ST STP25N60M2-EP
- STMicroelectronics STP25N60M2-EP