Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > STP34NM60N
STP34NM60N
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 29A TO-220
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Pyydä hinta & lead time
STP34NM60N ovat käytettävissä, voimme toimittaa STP34NM60N, käytä pyyntö lainaus lomaketta pyytää STP34NM60N pirce ja läpimenoaika.Atosn.com on ammattimainen elektronisten komponenttien jakelija.Meillä on suuri varastomäärä ja voimme toimittaa sen nopeasti, ota meihin yhteyttä jo tänään, ja myyntiedustajamme antaa sinulle hinnan ja toimituksen yksityiskohdat osassa STP34NM60N.ja tekninen tiimi, odotamme innolla yhteistyötä kanssasi.
Pyydä tarjous
Tuoteparametrit
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 4V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±25V
- teknologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Toimittaja Device Package
- TO-220-3
- Sarja
- MDmesh™ II
- RDS (Max) @ Id, Vgs
- 105 mOhm @ 14.5A, 10V
- Tehonkulutus (Max)
- 250W (Tc)
- Pakkaus
- Tube
- Pakkaus / Case
- TO-220-3
- Muut nimet
- 497-10884-5
- Käyttölämpötila
- 150°C (TJ)
- Asennustyyppi
- Through Hole
- Kosteuden herkkyys (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Valmistajan toimitusaika
- 42 Weeks
- Lyijytön tila / RoHS-tila
- Lead free / RoHS Compliant
- Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
- 2722pF @ 100V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 80nC @ 10V
- FET tyyppi
- N-Channel
- FET Ominaisuus
- -
- Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Valua lähde jännite (Vdss)
- 600V
- Yksityiskohtainen kuvaus
- N-Channel 600V 29A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220-3
- Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
- 29A (Tc)
Samankaltaisia tuotteita
- STMicroelectronics STP34NM60N
- STP34NM60N-tietolomake
- STP34NM60N-tietolomake
- STP34NM60N pdf -taulukko
- Lataa STP34NM60N-tietolomake
- STP34NM60N-kuva
- STP34NM60N osa
- ST STP34NM60N
- STMicroelectronics STP34NM60N