Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > STB42N65M5
STB42N65M5
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 33A D2PAK
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Pyydä hinta & lead time
STB42N65M5 ovat käytettävissä, voimme toimittaa STB42N65M5, käytä pyyntö lainaus lomaketta pyytää STB42N65M5 pirce ja läpimenoaika.Atosn.com on ammattimainen elektronisten komponenttien jakelija.Meillä on suuri varastomäärä ja voimme toimittaa sen nopeasti, ota meihin yhteyttä jo tänään, ja myyntiedustajamme antaa sinulle hinnan ja toimituksen yksityiskohdat osassa STB42N65M5.ja tekninen tiimi, odotamme innolla yhteistyötä kanssasi.
Pyydä tarjous
Tuoteparametrit
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 5V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±25V
- teknologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Toimittaja Device Package
- D2PAK
- Sarja
- MDmesh™ V
- RDS (Max) @ Id, Vgs
- 79 mOhm @ 16.5A, 10V
- Tehonkulutus (Max)
- 190W (Tc)
- Pakkaus
- Tape & Reel (TR)
- Pakkaus / Case
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Muut nimet
- 497-8769-2
- Käyttölämpötila
- 150°C (TJ)
- Asennustyyppi
- Surface Mount
- Kosteuden herkkyys (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Valmistajan toimitusaika
- 42 Weeks
- Lyijytön tila / RoHS-tila
- Lead free / RoHS Compliant
- Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
- 4650pF @ 100V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 100nC @ 10V
- FET tyyppi
- N-Channel
- FET Ominaisuus
- -
- Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Valua lähde jännite (Vdss)
- 650V
- Yksityiskohtainen kuvaus
- N-Channel 650V 33A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount D2PAK
- Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
- 33A (Tc)
Samankaltaisia tuotteita
- STMicroelectronics STB42N65M5
- STB42N65M5-tietolomake
- STB42N65M5-tietolomake
- STB42N65M5 pdf -taulukko
- Lataa STB42N65M5-tietolomake
- STB42N65M5-kuva
- STB42N65M5 osa
- ST STB42N65M5
- STMicroelectronics STB42N65M5