Suomi

Valitse kieli

EnglishRepublika e ShqipërisëالعربيةGaeilgeEesti VabariikEuskeraБеларусьБългарски езикíslenskapolskiAfrikaansDanskDeutschрусскийFrançaisPilipinoSuomiҚазақша한국의NederlandČeštinaHrvatskaLatviešulietuviųromânescMelayuMaoriবাংলা ভাষারမြန်မာKongeriketPortuguêsپښتوSvenskaCрпскиසිංහලSlovenskáSlovenijaภาษาไทยTürk diliاردوУкраїнаO'zbekespañolעִבְרִיתΕλλάδαMagyarországItaliaIndonesiaTiếng Việt

Luokat

  1. Integroidut piirit (IC)

    Integroidut piirit (IC)

  2. Discrete Semiconductor Products
  3. kondensaattorit
  4. RF / IF ja RFID
  5. vastukset
  6. Anturit, muuntimet

    Anturit, muuntimet

  7. releet
  8. Virtalähteet - Board Mount
  9. Eristeet
  10. Induktorit, kelat, kuristimet
  11. Liittimet, Liitännät

    Liittimet, Liitännät

  12. Piirin suojaus
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single > BDX53B
BDX53B
STMicroelectronics

BDX53B

STMicroelectronics
TRANS NPN DARL 80V 8A TO-220
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva

Pyydä hinta & lead time

BDX53B ovat käytettävissä, voimme toimittaa BDX53B, käytä pyyntö lainaus lomaketta pyytää BDX53B pirce ja läpimenoaika.Atosn.com on ammattimainen elektronisten komponenttien jakelija.Meillä on suuri varastomäärä ja voimme toimittaa sen nopeasti, ota meihin yhteyttä jo tänään, ja myyntiedustajamme antaa sinulle hinnan ja toimituksen yksityiskohdat osassa BDX53B.ja tekninen tiimi, odotamme innolla yhteistyötä kanssasi.


Pyydä tarjous

  • Osanumero:
  • Määrä:
  • Tavoitehinta:(USD)
  • Yhteyshenkilön nimi:
  • Sähköpostisi:
  • Puh:
  • Kommentit:

Tuoteparametrit

Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max)
80V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
2V @ 12mA, 3A
transistori tyyppi
NPN - Darlington
Toimittaja Device Package
TO-220AB
Sarja
-
Virta - Max
60W
Pakkaus
Tube
Pakkaus / Case
TO-220-3
Muut nimet
497-7182-5
STBDX53B
STBDX53B-ND
Käyttölämpötila
150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL)
1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika
38 Weeks
Lyijytön tila / RoHS-tila
Lead free / RoHS Compliant
Taajuus - Siirtyminen
-
Yksityiskohtainen kuvaus
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80V 8A 60W Through Hole TO-220AB
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
750 @ 3A, 3V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max)
500µA
Nykyinen - Collector (le) (Max)
8A

Samankaltaisia ​​tuotteita