Suomi

Valitse kieli

EnglishRepublika e ShqipërisëالعربيةGaeilgeEesti VabariikEuskeraБеларусьБългарски езикíslenskapolskiAfrikaansDanskDeutschрусскийFrançaisPilipinoSuomiҚазақша한국의NederlandČeštinaHrvatskaLatviešulietuviųromânescMelayuMaoriবাংলা ভাষারမြန်မာKongeriketPortuguêsپښتوSvenskaCрпскиසිංහලSlovenskáSlovenijaภาษาไทยTürk diliاردوУкраїнаO'zbekespañolעִבְרִיתΕλλάδαMagyarországItaliaIndonesiaTiếng Việt

Luokat

  1. Integroidut piirit (IC)

    Integroidut piirit (IC)

  2. Discrete Semiconductor Products
  3. kondensaattorit
  4. RF / IF ja RFID
  5. vastukset
  6. Anturit, muuntimet

    Anturit, muuntimet

  7. releet
  8. Virtalähteet - Board Mount
  9. Eristeet
  10. Induktorit, kelat, kuristimet
  11. Liittimet, Liitännät

    Liittimet, Liitännät

  12. Piirin suojaus
Koti > Tuotteet > Integroidut piirit (IC) > Atosn STCOK > APT75F50B2
APT75F50B2
Microsemi

APT75F50B2

Microsemi

Pyydä hinta & lead time

APT75F50B2 ovat käytettävissä, voimme toimittaa APT75F50B2, käytä pyyntö lainaus lomaketta pyytää APT75F50B2 pirce ja läpimenoaika.Atosn.com on ammattimainen elektronisten komponenttien jakelija.Meillä on suuri varastomäärä ja voimme toimittaa sen nopeasti, ota meihin yhteyttä jo tänään, ja myyntiedustajamme antaa sinulle hinnan ja toimituksen yksityiskohdat osassa APT75F50B2.ja tekninen tiimi, odotamme innolla yhteistyötä kanssasi.


Pyydä tarjous

  • Osanumero:
  • Määrä:
  • Tavoitehinta:(USD)
  • Yhteyshenkilön nimi:
  • Sähköpostisi:
  • Puh:
  • Kommentit:

Tuoteparametrit

Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 2.5mA
Vgs (Max)
±30V
teknologia
MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package
T-MAX™ [B2]
Sarja
POWER MOS 8™
RDS (Max) @ Id, Vgs
75 mOhm @ 37A, 10V
Tehonkulutus (Max)
1040W (Tc)
Pakkaus
Tube
Pakkaus / Case
TO-247-3 Variant
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL)
1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika
21 Weeks
Lyijytön tila / RoHS-tila
Lead free / RoHS Compliant
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
11600pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
290nC @ 10V
FET tyyppi
N-Channel
FET Ominaisuus
-
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Valua lähde jännite (Vdss)
500V
Yksityiskohtainen kuvaus
N-Channel 500V 75A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
75A (Tc)

Samankaltaisia ​​tuotteita