Suomi

Valitse kieli

EnglishRepublika e ShqipërisëالعربيةGaeilgeEesti VabariikEuskeraБеларусьБългарски езикíslenskapolskiAfrikaansDanskDeutschрусскийFrançaisPilipinoSuomiҚазақша한국의NederlandČeštinaHrvatskaLatviešulietuviųromânescMelayuMaoriবাংলা ভাষারမြန်မာKongeriketPortuguêsپښتوSvenskaCрпскиසිංහලSlovenskáSlovenijaภาษาไทยTürk diliاردوУкраїнаO'zbekespañolעִבְרִיתΕλλάδαMagyarországItaliaIndonesiaTiếng Việt

Luokat

  1. Integroidut piirit (IC)

    Integroidut piirit (IC)

  2. Discrete Semiconductor Products
  3. kondensaattorit
  4. RF / IF ja RFID
  5. vastukset
  6. Anturit, muuntimet

    Anturit, muuntimet

  7. releet
  8. Virtalähteet - Board Mount
  9. Eristeet
  10. Induktorit, kelat, kuristimet
  11. Liittimet, Liitännät

    Liittimet, Liitännät

  12. Piirin suojaus
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > STW32N65M5
STW32N65M5
STMicroelectronics

STW32N65M5

STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 24A TO-247
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva

Pyydä hinta & lead time

STW32N65M5 ovat käytettävissä, voimme toimittaa STW32N65M5, käytä pyyntö lainaus lomaketta pyytää STW32N65M5 pirce ja läpimenoaika.Atosn.com on ammattimainen elektronisten komponenttien jakelija.Meillä on suuri varastomäärä ja voimme toimittaa sen nopeasti, ota meihin yhteyttä jo tänään, ja myyntiedustajamme antaa sinulle hinnan ja toimituksen yksityiskohdat osassa STW32N65M5.ja tekninen tiimi, odotamme innolla yhteistyötä kanssasi.


Pyydä tarjous

  • Osanumero:
  • Määrä:
  • Tavoitehinta:(USD)
  • Yhteyshenkilön nimi:
  • Sähköpostisi:
  • Puh:
  • Kommentit:

Tuoteparametrit

Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Vgs (Max)
±25V
teknologia
MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package
TO-247-3
Sarja
MDmesh™ V
RDS (Max) @ Id, Vgs
119 mOhm @ 12A, 10V
Tehonkulutus (Max)
150W (Tc)
Pakkaus
Tube
Pakkaus / Case
TO-247-3
Muut nimet
497-10999-5
STW32N65M5-ND
Käyttölämpötila
150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL)
1 (Unlimited)
Lyijytön tila / RoHS-tila
Lead free / RoHS Compliant
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
3320pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
72nC @ 10V
FET tyyppi
N-Channel
FET Ominaisuus
-
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Valua lähde jännite (Vdss)
650V
Yksityiskohtainen kuvaus
N-Channel 650V 24A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-247-3
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
24A (Tc)

Samankaltaisia ​​tuotteita