Suomi

Valitse kieli

EnglishRepublika e ShqipërisëالعربيةGaeilgeEesti VabariikEuskeraБеларусьБългарски езикíslenskapolskiAfrikaansDanskDeutschрусскийFrançaisPilipinoSuomiҚазақша한국의NederlandČeštinaHrvatskaLatviešulietuviųromânescMelayuMaoriবাংলা ভাষারမြန်မာKongeriketPortuguêsپښتوSvenskaCрпскиසිංහලSlovenskáSlovenijaภาษาไทยTürk diliاردوУкраїнаO'zbekespañolעִבְרִיתΕλλάδαMagyarországItaliaIndonesiaTiếng Việt

Luokat

  1. Integroidut piirit (IC)

    Integroidut piirit (IC)

  2. Discrete Semiconductor Products
  3. kondensaattorit
  4. RF / IF ja RFID
  5. vastukset
  6. Anturit, muuntimet

    Anturit, muuntimet

  7. releet
  8. Virtalähteet - Board Mount
  9. Eristeet
  10. Induktorit, kelat, kuristimet
  11. Liittimet, Liitännät

    Liittimet, Liitännät

  12. Piirin suojaus
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single > BDW93C
BDW93C
STMicroelectronics

BDW93C

STMicroelectronics
TRANS NPN DARL 100V 12A TO-220
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva

Pyydä hinta & lead time

BDW93C ovat käytettävissä, voimme toimittaa BDW93C, käytä pyyntö lainaus lomaketta pyytää BDW93C pirce ja läpimenoaika.Atosn.com on ammattimainen elektronisten komponenttien jakelija.Meillä on suuri varastomäärä ja voimme toimittaa sen nopeasti, ota meihin yhteyttä jo tänään, ja myyntiedustajamme antaa sinulle hinnan ja toimituksen yksityiskohdat osassa BDW93C.ja tekninen tiimi, odotamme innolla yhteistyötä kanssasi.


Pyydä tarjous

  • Osanumero:
  • Määrä:
  • Tavoitehinta:(USD)
  • Yhteyshenkilön nimi:
  • Sähköpostisi:
  • Puh:
  • Kommentit:

Tuoteparametrit

Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max)
100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
3V @ 100mA, 10A
transistori tyyppi
NPN - Darlington
Toimittaja Device Package
TO-220AB
Sarja
-
Virta - Max
80W
Pakkaus
Tube
Pakkaus / Case
TO-220-3
Muut nimet
497-7180-5
BDW93CST-ND
Käyttölämpötila
150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL)
1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika
38 Weeks
Lyijytön tila / RoHS-tila
Lead free / RoHS Compliant
Taajuus - Siirtyminen
-
Yksityiskohtainen kuvaus
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 12A 80W Through Hole TO-220AB
DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
750 @ 5A, 3V
Nykyinen - Collector Cutoff (Max)
1mA
Nykyinen - Collector (le) (Max)
12A

Samankaltaisia ​​tuotteita