Suomi

Valitse kieli

EnglishRepublika e ShqipërisëالعربيةGaeilgeEesti VabariikEuskeraБеларусьБългарски езикíslenskapolskiAfrikaansDanskDeutschрусскийFrançaisPilipinoSuomiҚазақша한국의NederlandČeštinaHrvatskaLatviešulietuviųromânescMelayuMaoriবাংলা ভাষারမြန်မာKongeriketPortuguêsپښتوSvenskaCрпскиසිංහලSlovenskáSlovenijaภาษาไทยTürk diliاردوУкраїнаO'zbekespañolעִבְרִיתΕλλάδαMagyarországItaliaIndonesiaTiếng Việt

Luokat

  1. Integroidut piirit (IC)

    Integroidut piirit (IC)

  2. Discrete Semiconductor Products
  3. kondensaattorit
  4. RF / IF ja RFID
  5. vastukset
  6. Anturit, muuntimet

    Anturit, muuntimet

  7. releet
  8. Virtalähteet - Board Mount
  9. Eristeet
  10. Induktorit, kelat, kuristimet
  11. Liittimet, Liitännät

    Liittimet, Liitännät

  12. Piirin suojaus
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > IRFZ34NS
IRFZ34NS
International Rectifier (Infineon Technologies)

IRFZ34NS

International Rectifier (Infineon Technologies)
MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK
Sisältää lyijy / RoHS-yhteensopiva

Pyydä hinta & lead time

IRFZ34NS ovat käytettävissä, voimme toimittaa IRFZ34NS, käytä pyyntö lainaus lomaketta pyytää IRFZ34NS pirce ja läpimenoaika.Atosn.com on ammattimainen elektronisten komponenttien jakelija.Meillä on suuri varastomäärä ja voimme toimittaa sen nopeasti, ota meihin yhteyttä jo tänään, ja myyntiedustajamme antaa sinulle hinnan ja toimituksen yksityiskohdat osassa IRFZ34NS.ja tekninen tiimi, odotamme innolla yhteistyötä kanssasi.


Pyydä tarjous

  • Osanumero:
  • Määrä:
  • Tavoitehinta:(USD)
  • Yhteyshenkilön nimi:
  • Sähköpostisi:
  • Puh:
  • Kommentit:

Tuoteparametrit

Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Vgs (Max)
±20V
teknologia
MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package
D2PAK
Sarja
HEXFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs
40 mOhm @ 16A, 10V
Tehonkulutus (Max)
3.8W (Ta), 68W (Tc)
Pakkaus
Tube
Pakkaus / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Muut nimet
*IRFZ34NS
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL)
1 (Unlimited)
Lyijytön tila / RoHS-tila
Contains lead / RoHS non-compliant
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
700pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
34nC @ 10V
FET tyyppi
N-Channel
FET Ominaisuus
-
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Valua lähde jännite (Vdss)
55V
Yksityiskohtainen kuvaus
N-Channel 55V 29A (Tc) 3.8W (Ta), 68W (Tc) Surface Mount D2PAK
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
29A (Tc)

Samankaltaisia ​​tuotteita