Suomi

Valitse kieli

EnglishRepublika e ShqipërisëالعربيةGaeilgeEesti VabariikEuskeraБеларусьБългарски езикíslenskapolskiAfrikaansDanskDeutschрусскийFrançaisPilipinoSuomiҚазақша한국의NederlandČeštinaHrvatskaLatviešulietuviųromânescMelayuMaoriবাংলা ভাষারမြန်မာKongeriketPortuguêsپښتوSvenskaCрпскиසිංහලSlovenskáSlovenijaภาษาไทยTürk diliاردوУкраїнаO'zbekespañolעִבְרִיתΕλλάδαMagyarországItaliaIndonesiaTiếng Việt

Luokat

  1. Integroidut piirit (IC)

    Integroidut piirit (IC)

  2. Discrete Semiconductor Products
  3. kondensaattorit
  4. RF / IF ja RFID
  5. vastukset
  6. Anturit, muuntimet

    Anturit, muuntimet

  7. releet
  8. Virtalähteet - Board Mount
  9. Eristeet
  10. Induktorit, kelat, kuristimet
  11. Liittimet, Liitännät

    Liittimet, Liitännät

  12. Piirin suojaus
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > STB85NF55T4
STB85NF55T4
STMicroelectronics

STB85NF55T4

STMicroelectronics
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva

Pyydä hinta & lead time

STB85NF55T4 ovat käytettävissä, voimme toimittaa STB85NF55T4, käytä pyyntö lainaus lomaketta pyytää STB85NF55T4 pirce ja läpimenoaika.Atosn.com on ammattimainen elektronisten komponenttien jakelija.Meillä on suuri varastomäärä ja voimme toimittaa sen nopeasti, ota meihin yhteyttä jo tänään, ja myyntiedustajamme antaa sinulle hinnan ja toimituksen yksityiskohdat osassa STB85NF55T4.ja tekninen tiimi, odotamme innolla yhteistyötä kanssasi.


Pyydä tarjous

  • Osanumero:
  • Määrä:
  • Tavoitehinta:(USD)
  • Yhteyshenkilön nimi:
  • Sähköpostisi:
  • Puh:
  • Kommentit:

Tuoteparametrit

Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Vgs (Max)
±20V
teknologia
MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package
D2PAK
Sarja
STripFET™ II
RDS (Max) @ Id, Vgs
8 mOhm @ 40A, 10V
Tehonkulutus (Max)
300W (Tc)
Pakkaus
Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL)
1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika
38 Weeks
Lyijytön tila / RoHS-tila
Lead free / RoHS Compliant
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
3700pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
150nC @ 10V
FET tyyppi
N-Channel
FET Ominaisuus
-
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Valua lähde jännite (Vdss)
55V
Yksityiskohtainen kuvaus
N-Channel 55V 80A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount D2PAK
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
80A (Tc)

Samankaltaisia ​​tuotteita