Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > CSD18511KCS
CSD18511KCS
NEW LF VERSION OF CSD18502KCS
Sisältää lyijy / RoHS -yhteensopiva
Pyydä hinta & lead time
CSD18511KCS ovat käytettävissä, voimme toimittaa CSD18511KCS, käytä pyyntö lainaus lomaketta pyytää CSD18511KCS pirce ja läpimenoaika.Atosn.com on ammattimainen elektronisten komponenttien jakelija.Meillä on suuri varastomäärä ja voimme toimittaa sen nopeasti, ota meihin yhteyttä jo tänään, ja myyntiedustajamme antaa sinulle hinnan ja toimituksen yksityiskohdat osassa CSD18511KCS.ja tekninen tiimi, odotamme innolla yhteistyötä kanssasi.
Pyydä tarjous
Tuoteparametrit
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 2.4V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±20V
- teknologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Toimittaja Device Package
- TO-220-3
- Sarja
- NexFET™
- RDS (Max) @ Id, Vgs
- 2.6 mOhm @ 100A, 10V
- Tehonkulutus (Max)
- 188W (Ta)
- Pakkaus
- Tube
- Pakkaus / Case
- TO-220-3
- Käyttölämpötila
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Asennustyyppi
- Through Hole
- Kosteuden herkkyys (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Valmistajan toimitusaika
- 35 Weeks
- Lyijytön tila / RoHS-tila
- Contains lead / RoHS Compliant
- Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
- 5940pF @ 20V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 64nC @ 10V
- FET tyyppi
- N-Channel
- FET Ominaisuus
- -
- Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
- 4.5V, 10V
- Valua lähde jännite (Vdss)
- 40V
- Yksityiskohtainen kuvaus
- N-Channel 40V 194A (Ta) 188W (Ta) Through Hole TO-220-3
- Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
- 194A (Ta)
Samankaltaisia tuotteita
- CSD18511KCS
- CSD18511KCS-tietolomake
- CSD18511KCS-tietolomake
- CSD18511KCS pdf -taulukko
- Lataa CSD18511KCS-tietolomake
- CSD18511KCS-kuva
- CSD18511KCS osa