Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - bipolaarinen (BJT) - kolonnit > ULN2075B
ULN2075B
STMicroelectronics
TRANS 4NPN DARL 80V 1.75A 16DIP
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Pyydä hinta & lead time
ULN2075B ovat käytettävissä, voimme toimittaa ULN2075B, käytä pyyntö lainaus lomaketta pyytää ULN2075B pirce ja läpimenoaika.Atosn.com on ammattimainen elektronisten komponenttien jakelija.Meillä on suuri varastomäärä ja voimme toimittaa sen nopeasti, ota meihin yhteyttä jo tänään, ja myyntiedustajamme antaa sinulle hinnan ja toimituksen yksityiskohdat osassa ULN2075B.ja tekninen tiimi, odotamme innolla yhteistyötä kanssasi.
Pyydä tarjous
Tuoteparametrit
- Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max)
- 80V
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
- 1.5V @ 2.25mA, 1.5A
- transistori tyyppi
- 4 NPN Darlington (Quad)
- Toimittaja Device Package
- 16-PowerDIP (20x7.10)
- Sarja
- -
- Virta - Max
- 1W
- Pakkaus
- Tube
- Pakkaus / Case
- 16-PowerDIP (0.300", 7.62mm)
- Muut nimet
- 497-3084-5
- Käyttölämpötila
- -20°C ~ 85°C (TA)
- Asennustyyppi
- Through Hole
- Kosteuden herkkyys (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Valmistajan toimitusaika
- 38 Weeks
- Lyijytön tila / RoHS-tila
- Lead free / RoHS Compliant
- Taajuus - Siirtyminen
- -
- Yksityiskohtainen kuvaus
- Bipolar (BJT) Transistor Array 4 NPN Darlington (Quad) 80V 1.75A 1W Through Hole 16-PowerDIP (20x7.10)
- DC Nykyinen Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
- -
- Nykyinen - Collector Cutoff (Max)
- -
- Nykyinen - Collector (le) (Max)
- 1.75A
Samankaltaisia tuotteita
- STMicroelectronics ULN2075B
- ULN2075B-tietolomake
- ULN2075B-tietolomake
- ULN2075B pdf -taulukko
- Lataa ULN2075B-tietolomake
- ULN2075B-kuva
- ULN2075B osa
- ST ULN2075B
- STMicroelectronics ULN2075B