Suomi

Valitse kieli

EnglishRepublika e ShqipërisëالعربيةGaeilgeEesti VabariikEuskeraБеларусьБългарски езикíslenskapolskiAfrikaansDanskDeutschрусскийFrançaisPilipinoSuomiҚазақша한국의NederlandČeštinaHrvatskaLatviešulietuviųromânescMelayuMaoriবাংলা ভাষারမြန်မာKongeriketPortuguêsپښتوSvenskaCрпскиසිංහලSlovenskáSlovenijaภาษาไทยTürk diliاردوУкраїнаO'zbekespañolעִבְרִיתΕλλάδαMagyarországItaliaIndonesiaTiếng Việt

Luokat

  1. Integroidut piirit (IC)

    Integroidut piirit (IC)

  2. Discrete Semiconductor Products
  3. kondensaattorit
  4. RF / IF ja RFID
  5. vastukset
  6. Anturit, muuntimet

    Anturit, muuntimet

  7. releet
  8. Virtalähteet - Board Mount
  9. Eristeet
  10. Induktorit, kelat, kuristimet
  11. Liittimet, Liitännät

    Liittimet, Liitännät

  12. Piirin suojaus
Koti > Tuotteet > Integroidut piirit (IC) > Atosn STCOK > STD1HN60K3
STD1HN60K3
STMicroelectronics

STD1HN60K3

STMicroelectronics

Pyydä hinta & lead time

STD1HN60K3 ovat käytettävissä, voimme toimittaa STD1HN60K3, käytä pyyntö lainaus lomaketta pyytää STD1HN60K3 pirce ja läpimenoaika.Atosn.com on ammattimainen elektronisten komponenttien jakelija.Meillä on suuri varastomäärä ja voimme toimittaa sen nopeasti, ota meihin yhteyttä jo tänään, ja myyntiedustajamme antaa sinulle hinnan ja toimituksen yksityiskohdat osassa STD1HN60K3.ja tekninen tiimi, odotamme innolla yhteistyötä kanssasi.


Pyydä tarjous

  • Osanumero:
  • Määrä:
  • Tavoitehinta:(USD)
  • Yhteyshenkilön nimi:
  • Sähköpostisi:
  • Puh:
  • Kommentit:

Tuoteparametrit

Vgs (th) (Max) @ Id
4.5V @ 50µA
Vgs (Max)
±30V
teknologia
MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package
DPAK
Sarja
SuperMESH3™
RDS (Max) @ Id, Vgs
8 Ohm @ 600mA, 10V
Tehonkulutus (Max)
27W (Tc)
Pakkaus
Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Muut nimet
497-13748-2
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL)
1 (Unlimited)
Lyijytön tila / RoHS-tila
Lead free / RoHS Compliant
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
140pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
9.5nC @ 10V
FET tyyppi
N-Channel
FET Ominaisuus
-
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Valua lähde jännite (Vdss)
600V
Yksityiskohtainen kuvaus
N-Channel 600V 1.2A (Tc) 27W (Tc) Surface Mount DPAK
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
1.2A (Tc)

Samankaltaisia ​​tuotteita