Suomi

Valitse kieli

EnglishRepublika e ShqipërisëالعربيةGaeilgeEesti VabariikEuskeraБеларусьБългарски езикíslenskapolskiAfrikaansDanskDeutschрусскийFrançaisPilipinoSuomiҚазақша한국의NederlandČeštinaHrvatskaLatviešulietuviųromânescMelayuMaoriবাংলা ভাষারမြန်မာKongeriketPortuguêsپښتوSvenskaCрпскиසිංහලSlovenskáSlovenijaภาษาไทยTürk diliاردوУкраїнаO'zbekespañolעִבְרִיתΕλλάδαMagyarországItaliaIndonesiaTiếng Việt

Luokat

  1. Integroidut piirit (IC)

    Integroidut piirit (IC)

  2. Discrete Semiconductor Products
  3. kondensaattorit
  4. RF / IF ja RFID
  5. vastukset
  6. Anturit, muuntimet

    Anturit, muuntimet

  7. releet
  8. Virtalähteet - Board Mount
  9. Eristeet
  10. Induktorit, kelat, kuristimet
  11. Liittimet, Liitännät

    Liittimet, Liitännät

  12. Piirin suojaus
Koti > Tuotteet > Integroidut piirit (IC) > Atosn STCOK > STD8N60DM2
STD8N60DM2
STMicroelectronics

STD8N60DM2

STMicroelectronics

Pyydä hinta & lead time

STD8N60DM2 ovat käytettävissä, voimme toimittaa STD8N60DM2, käytä pyyntö lainaus lomaketta pyytää STD8N60DM2 pirce ja läpimenoaika.Atosn.com on ammattimainen elektronisten komponenttien jakelija.Meillä on suuri varastomäärä ja voimme toimittaa sen nopeasti, ota meihin yhteyttä jo tänään, ja myyntiedustajamme antaa sinulle hinnan ja toimituksen yksityiskohdat osassa STD8N60DM2.ja tekninen tiimi, odotamme innolla yhteistyötä kanssasi.


Pyydä tarjous

  • Osanumero:
  • Määrä:
  • Tavoitehinta:(USD)
  • Yhteyshenkilön nimi:
  • Sähköpostisi:
  • Puh:
  • Kommentit:

Tuoteparametrit

Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 100µA
Vgs (Max)
±30V
teknologia
MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package
DPAK
Sarja
MDmesh™ DM2
RDS (Max) @ Id, Vgs
600 mOhm @ 4A, 10V
Tehonkulutus (Max)
85W (Tc)
Pakkaus
Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Muut nimet
497-16930-2
Käyttölämpötila
150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL)
1 (Unlimited)
Lyijytön tila / RoHS-tila
Lead free / RoHS Compliant
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
375pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
13.5nC @ 10V
FET tyyppi
N-Channel
FET Ominaisuus
-
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Valua lähde jännite (Vdss)
600V
Yksityiskohtainen kuvaus
N-Channel 600V 8A (Tc) 85W (Tc) Surface Mount DPAK
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
8A (Tc)

Samankaltaisia ​​tuotteita