STI150N10F7
Pyydä hinta & lead time
STI150N10F7 ovat käytettävissä, voimme toimittaa STI150N10F7, käytä pyyntö lainaus lomaketta pyytää STI150N10F7 pirce ja läpimenoaika.Atosn.com on ammattimainen elektronisten komponenttien jakelija.Meillä on suuri varastomäärä ja voimme toimittaa sen nopeasti, ota meihin yhteyttä jo tänään, ja myyntiedustajamme antaa sinulle hinnan ja toimituksen yksityiskohdat osassa STI150N10F7.ja tekninen tiimi, odotamme innolla yhteistyötä kanssasi.
Pyydä tarjous
Tuoteparametrit
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 4.5V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±20V
- teknologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Toimittaja Device Package
- I2PAK (TO-262)
- Sarja
- STripFET™
- RDS (Max) @ Id, Vgs
- 4.2 mOhm @ 55A, 10V
- Tehonkulutus (Max)
- 250W (Tc)
- Pakkaus
- Tube
- Pakkaus / Case
- TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
- Muut nimet
- 497-15015-5
- Käyttölämpötila
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Asennustyyppi
- Through Hole
- Kosteuden herkkyys (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Lyijytön tila / RoHS-tila
- Lead free / RoHS Compliant
- Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
- 8115pF @ 50V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 117nC @ 10V
- FET tyyppi
- N-Channel
- FET Ominaisuus
- -
- Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Valua lähde jännite (Vdss)
- 100V
- Yksityiskohtainen kuvaus
- N-Channel 100V 110A (Tc) 250W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)
- Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
- 110A (Tc)
Samankaltaisia tuotteita
- STMicroelectronics STI150N10F7
- STI150N10F7-tietolomake
- STI150N10F7-tietolomake
- STI150N10F7 pdf -taulukko
- Lataa STI150N10F7-tietolomake
- STI150N10F7-kuva
- STI150N10F7 osa
- ST STI150N10F7
- STMicroelectronics STI150N10F7