STI45N10F7
Pyydä hinta & lead time
STI45N10F7 ovat käytettävissä, voimme toimittaa STI45N10F7, käytä pyyntö lainaus lomaketta pyytää STI45N10F7 pirce ja läpimenoaika.Atosn.com on ammattimainen elektronisten komponenttien jakelija.Meillä on suuri varastomäärä ja voimme toimittaa sen nopeasti, ota meihin yhteyttä jo tänään, ja myyntiedustajamme antaa sinulle hinnan ja toimituksen yksityiskohdat osassa STI45N10F7.ja tekninen tiimi, odotamme innolla yhteistyötä kanssasi.
Pyydä tarjous
Tuoteparametrit
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 4.5V @ 250µA
- Vgs (Max)
- 20V
- teknologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Toimittaja Device Package
- I2PAK (TO-262)
- Sarja
- DeepGATE™, STripFET™ VII
- RDS (Max) @ Id, Vgs
- 18 mOhm @ 22.5A, 10V
- Tehonkulutus (Max)
- 60W (Tc)
- Pakkaus
- Tube
- Pakkaus / Case
- TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
- Muut nimet
- 497-14567-5
STI45N10F7-ND
- Käyttölämpötila
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Asennustyyppi
- Through Hole
- Kosteuden herkkyys (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Lyijytön tila / RoHS-tila
- Lead free / RoHS Compliant
- Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
- 1640pF @ 50V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 25nC @ 10V
- FET tyyppi
- N-Channel
- FET Ominaisuus
- -
- Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Valua lähde jännite (Vdss)
- 100V
- Yksityiskohtainen kuvaus
- N-Channel 100V 45A (Tc) 60W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)
- Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
- 45A (Tc)
Samankaltaisia tuotteita
- STMicroelectronics STI45N10F7
- STI45N10F7-tietolomake
- STI45N10F7-tietolomake
- STI45N10F7 pdf -taulukko
- Lataa STI45N10F7-tietolomake
- STI45N10F7-kuva
- STI45N10F7 osa
- ST STI45N10F7
- STMicroelectronics STI45N10F7