STL4N10F7
Pyydä hinta & lead time
STL4N10F7 ovat käytettävissä, voimme toimittaa STL4N10F7, käytä pyyntö lainaus lomaketta pyytää STL4N10F7 pirce ja läpimenoaika.Atosn.com on ammattimainen elektronisten komponenttien jakelija.Meillä on suuri varastomäärä ja voimme toimittaa sen nopeasti, ota meihin yhteyttä jo tänään, ja myyntiedustajamme antaa sinulle hinnan ja toimituksen yksityiskohdat osassa STL4N10F7.ja tekninen tiimi, odotamme innolla yhteistyötä kanssasi.
Pyydä tarjous
Tuoteparametrit
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 4.5V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±20V
- teknologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Toimittaja Device Package
- PowerFlat™ (3.3x3.3)
- Sarja
- DeepGATE™, STripFET™ VII
- RDS (Max) @ Id, Vgs
- 70 mOhm @ 2.25A, 10V
- Tehonkulutus (Max)
- 2.9W (Ta), 50W (Tc)
- Pakkaus
- Tape & Reel (TR)
- Pakkaus / Case
- 8-PowerVDFN
- Muut nimet
- 497-14989-2
- Käyttölämpötila
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Asennustyyppi
- Surface Mount
- Kosteuden herkkyys (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Valmistajan toimitusaika
- 38 Weeks
- Lyijytön tila / RoHS-tila
- Lead free / RoHS Compliant
- Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
- 408pF @ 50V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 7.8nC @ 10V
- FET tyyppi
- N-Channel
- FET Ominaisuus
- -
- Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Valua lähde jännite (Vdss)
- 100V
- Yksityiskohtainen kuvaus
- N-Channel 100V 4.5A (Ta), 18A (Tc) 2.9W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (3.3x3.3)
- Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
- 4.5A (Ta), 18A (Tc)
Samankaltaisia tuotteita
- STMicroelectronics STL4N10F7
- STL4N10F7-tietolomake
- STL4N10F7-tietolomake
- STL4N10F7 pdf -taulukko
- Lataa STL4N10F7-tietolomake
- STL4N10F7-kuva
- STL4N10F7 osa
- ST STL4N10F7
- STMicroelectronics STL4N10F7