Suomi

Valitse kieli

EnglishRepublika e ShqipërisëالعربيةGaeilgeEesti VabariikEuskeraБеларусьБългарски езикíslenskapolskiAfrikaansDanskDeutschрусскийFrançaisPilipinoSuomiҚазақша한국의NederlandČeštinaHrvatskaLatviešulietuviųromânescMelayuMaoriবাংলা ভাষারမြန်မာKongeriketPortuguêsپښتوSvenskaCрпскиසිංහලSlovenskáSlovenijaภาษาไทยTürk diliاردوУкраїнаO'zbekespañolעִבְרִיתΕλλάδαMagyarországItaliaIndonesiaTiếng Việt

Luokat

  1. Integroidut piirit (IC)

    Integroidut piirit (IC)

  2. Discrete Semiconductor Products
  3. kondensaattorit
  4. RF / IF ja RFID
  5. vastukset
  6. Anturit, muuntimet

    Anturit, muuntimet

  7. releet
  8. Virtalähteet - Board Mount
  9. Eristeet
  10. Induktorit, kelat, kuristimet
  11. Liittimet, Liitännät

    Liittimet, Liitännät

  12. Piirin suojaus
Koti > Tuotteet > Integroidut piirit (IC) > Atosn STCOK > STL7N60M2
STL7N60M2
STMicroelectronics

STL7N60M2

STMicroelectronics

Pyydä hinta & lead time

STL7N60M2 ovat käytettävissä, voimme toimittaa STL7N60M2, käytä pyyntö lainaus lomaketta pyytää STL7N60M2 pirce ja läpimenoaika.Atosn.com on ammattimainen elektronisten komponenttien jakelija.Meillä on suuri varastomäärä ja voimme toimittaa sen nopeasti, ota meihin yhteyttä jo tänään, ja myyntiedustajamme antaa sinulle hinnan ja toimituksen yksityiskohdat osassa STL7N60M2.ja tekninen tiimi, odotamme innolla yhteistyötä kanssasi.


Pyydä tarjous

  • Osanumero:
  • Määrä:
  • Tavoitehinta:(USD)
  • Yhteyshenkilön nimi:
  • Sähköpostisi:
  • Puh:
  • Kommentit:

Tuoteparametrit

Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Vgs (Max)
±25V
teknologia
MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package
PowerFLAT™ (5x5)
Sarja
MDmesh™
RDS (Max) @ Id, Vgs
1.05 Ohm @ 2A, 10V
Tehonkulutus (Max)
4W (Ta), 67W (Tc)
Pakkaus
Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case
8-PowerVDFN
Muut nimet
497-16519-2
STL7N60M2-ND
Käyttölämpötila
150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL)
1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika
42 Weeks
Lyijytön tila / RoHS-tila
Lead free / RoHS Compliant
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
271pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
8.8nC @ 10V
FET tyyppi
N-Channel
FET Ominaisuus
-
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Valua lähde jännite (Vdss)
600V
Yksityiskohtainen kuvaus
N-Channel 600V 5A (Tc) 4W (Ta), 67W (Tc) Surface Mount PowerFLAT™ (5x5)
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
5A (Tc)

Samankaltaisia ​​tuotteita