Suomi

Valitse kieli

EnglishRepublika e ShqipërisëالعربيةGaeilgeEesti VabariikEuskeraБеларусьБългарски езикíslenskapolskiAfrikaansDanskDeutschрусскийFrançaisPilipinoSuomiҚазақша한국의NederlandČeštinaHrvatskaLatviešulietuviųromânescMelayuMaoriবাংলা ভাষারမြန်မာKongeriketPortuguêsپښتوSvenskaCрпскиසිංහලSlovenskáSlovenijaภาษาไทยTürk diliاردوУкраїнаO'zbekespañolעִבְרִיתΕλλάδαMagyarországItaliaIndonesiaTiếng Việt

Luokat

  1. Integroidut piirit (IC)

    Integroidut piirit (IC)

  2. Discrete Semiconductor Products
  3. kondensaattorit
  4. RF / IF ja RFID
  5. vastukset
  6. Anturit, muuntimet

    Anturit, muuntimet

  7. releet
  8. Virtalähteet - Board Mount
  9. Eristeet
  10. Induktorit, kelat, kuristimet
  11. Liittimet, Liitännät

    Liittimet, Liitännät

  12. Piirin suojaus
Koti > Tuotteet > Integroidut piirit (IC) > Atosn STCOK > STP26NM60ND
STP26NM60ND
STMicroelectronics

STP26NM60ND

STMicroelectronics

Pyydä hinta & lead time

STP26NM60ND ovat käytettävissä, voimme toimittaa STP26NM60ND, käytä pyyntö lainaus lomaketta pyytää STP26NM60ND pirce ja läpimenoaika.Atosn.com on ammattimainen elektronisten komponenttien jakelija.Meillä on suuri varastomäärä ja voimme toimittaa sen nopeasti, ota meihin yhteyttä jo tänään, ja myyntiedustajamme antaa sinulle hinnan ja toimituksen yksityiskohdat osassa STP26NM60ND.ja tekninen tiimi, odotamme innolla yhteistyötä kanssasi.


Pyydä tarjous

  • Osanumero:
  • Määrä:
  • Tavoitehinta:(USD)
  • Yhteyshenkilön nimi:
  • Sähköpostisi:
  • Puh:
  • Kommentit:

Tuoteparametrit

Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Vgs (Max)
±25V
teknologia
MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package
TO-220
Sarja
FDmesh™ II
RDS (Max) @ Id, Vgs
175 mOhm @ 10.5A, 10V
Tehonkulutus (Max)
190W (Tc)
Pakkaus
Tube
Pakkaus / Case
TO-220-3
Muut nimet
497-14219-5
STP26NM60ND-ND
Käyttölämpötila
150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL)
1 (Unlimited)
Lyijytön tila / RoHS-tila
Lead free / RoHS Compliant
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1817pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
54.6nC @ 10V
FET tyyppi
N-Channel
FET Ominaisuus
-
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Valua lähde jännite (Vdss)
600V
Yksityiskohtainen kuvaus
N-Channel 600V 21A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-220
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
21A (Tc)

Samankaltaisia ​​tuotteita