Suomi

Valitse kieli

EnglishRepublika e ShqipërisëالعربيةGaeilgeEesti VabariikEuskeraБеларусьБългарски езикíslenskapolskiAfrikaansDanskDeutschрусскийFrançaisPilipinoSuomiҚазақша한국의NederlandČeštinaHrvatskaLatviešulietuviųromânescMelayuMaoriবাংলা ভাষারမြန်မာKongeriketPortuguêsپښتوSvenskaCрпскиසිංහලSlovenskáSlovenijaภาษาไทยTürk diliاردوУкраїнаO'zbekespañolעִבְרִיתΕλλάδαMagyarországItaliaIndonesiaTiếng Việt

Luokat

  1. Integroidut piirit (IC)

    Integroidut piirit (IC)

  2. Discrete Semiconductor Products
  3. kondensaattorit
  4. RF / IF ja RFID
  5. vastukset
  6. Anturit, muuntimet

    Anturit, muuntimet

  7. releet
  8. Virtalähteet - Board Mount
  9. Eristeet
  10. Induktorit, kelat, kuristimet
  11. Liittimet, Liitännät

    Liittimet, Liitännät

  12. Piirin suojaus
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > STB6N62K3
STB6N62K3
STMicroelectronics

STB6N62K3

STMicroelectronics
MOSFET N-CH 620V 5.5A D2PAK
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva

Pyydä hinta & lead time

STB6N62K3 ovat käytettävissä, voimme toimittaa STB6N62K3, käytä pyyntö lainaus lomaketta pyytää STB6N62K3 pirce ja läpimenoaika.Atosn.com on ammattimainen elektronisten komponenttien jakelija.Meillä on suuri varastomäärä ja voimme toimittaa sen nopeasti, ota meihin yhteyttä jo tänään, ja myyntiedustajamme antaa sinulle hinnan ja toimituksen yksityiskohdat osassa STB6N62K3.ja tekninen tiimi, odotamme innolla yhteistyötä kanssasi.


Pyydä tarjous

  • Osanumero:
  • Määrä:
  • Tavoitehinta:(USD)
  • Yhteyshenkilön nimi:
  • Sähköpostisi:
  • Puh:
  • Kommentit:

Tuoteparametrit

Vgs (th) (Max) @ Id
4.5V @ 50µA
Vgs (Max)
±30V
teknologia
MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package
D2PAK
Sarja
SuperMESH3™
RDS (Max) @ Id, Vgs
1.2 Ohm @ 2.8A, 10V
Tehonkulutus (Max)
90W (Tc)
Pakkaus
Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Käyttölämpötila
150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL)
1 (Unlimited)
Lyijytön tila / RoHS-tila
Lead free / RoHS Compliant
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
875pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
34nC @ 10V
FET tyyppi
N-Channel
FET Ominaisuus
-
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Valua lähde jännite (Vdss)
620V
Yksityiskohtainen kuvaus
N-Channel 620V 5.5A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount D2PAK
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
5.5A (Tc)

Samankaltaisia ​​tuotteita