STB6N60M2
Pyydä hinta & lead time
STB6N60M2 ovat käytettävissä, voimme toimittaa STB6N60M2, käytä pyyntö lainaus lomaketta pyytää STB6N60M2 pirce ja läpimenoaika.Atosn.com on ammattimainen elektronisten komponenttien jakelija.Meillä on suuri varastomäärä ja voimme toimittaa sen nopeasti, ota meihin yhteyttä jo tänään, ja myyntiedustajamme antaa sinulle hinnan ja toimituksen yksityiskohdat osassa STB6N60M2.ja tekninen tiimi, odotamme innolla yhteistyötä kanssasi.
Pyydä tarjous
Tuoteparametrit
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 4V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±25V
- teknologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Toimittaja Device Package
- D2PAK
- Sarja
- MDmesh™ II Plus
- RDS (Max) @ Id, Vgs
- 1.2 Ohm @ 2.25A, 10V
- Tehonkulutus (Max)
- 60W (Tc)
- Pakkaus
- Tape & Reel (TR)
- Pakkaus / Case
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Muut nimet
- 497-13934-2
STB6N60M2-ND
- Käyttölämpötila
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Asennustyyppi
- Surface Mount
- Kosteuden herkkyys (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Valmistajan toimitusaika
- 42 Weeks
- Lyijytön tila / RoHS-tila
- Lead free / RoHS Compliant
- Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
- 232pF @ 100V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 8nC @ 10V
- FET tyyppi
- N-Channel
- FET Ominaisuus
- -
- Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Valua lähde jännite (Vdss)
- 600V
- Yksityiskohtainen kuvaus
- N-Channel 600V 4.5A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount D2PAK
- Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
- 4.5A (Tc)
Samankaltaisia tuotteita
- STMicroelectronics STB6N60M2
- STB6N60M2-tietolomake
- STB6N60M2-tietolomake
- STB6N60M2 pdf -taulukko
- Lataa STB6N60M2-tietolomake
- STB6N60M2-kuva
- STB6N60M2 osa
- ST STB6N60M2
- STMicroelectronics STB6N60M2