Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > STP10NM60N
STP10NM60N
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 10A TO220
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
Pyydä hinta & lead time
STP10NM60N ovat käytettävissä, voimme toimittaa STP10NM60N, käytä pyyntö lainaus lomaketta pyytää STP10NM60N pirce ja läpimenoaika.Atosn.com on ammattimainen elektronisten komponenttien jakelija.Meillä on suuri varastomäärä ja voimme toimittaa sen nopeasti, ota meihin yhteyttä jo tänään, ja myyntiedustajamme antaa sinulle hinnan ja toimituksen yksityiskohdat osassa STP10NM60N.ja tekninen tiimi, odotamme innolla yhteistyötä kanssasi.
Pyydä tarjous
Tuoteparametrit
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 4V @ 250µA
- Vgs (Max)
- ±25V
- teknologia
- MOSFET (Metal Oxide)
- Toimittaja Device Package
- TO-220AB
- Sarja
- MDmesh™ II
- RDS (Max) @ Id, Vgs
- 550 mOhm @ 4A, 10V
- Tehonkulutus (Max)
- 70W (Tc)
- Pakkaus
- Tube
- Pakkaus / Case
- TO-220-3
- Muut nimet
- 497-9098-5
- Käyttölämpötila
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Asennustyyppi
- Through Hole
- Kosteuden herkkyys (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Valmistajan toimitusaika
- 42 Weeks
- Lyijytön tila / RoHS-tila
- Lead free / RoHS Compliant
- Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
- 540pF @ 50V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 19nC @ 10V
- FET tyyppi
- N-Channel
- FET Ominaisuus
- -
- Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Valua lähde jännite (Vdss)
- 600V
- Yksityiskohtainen kuvaus
- N-Channel 600V 10A (Tc) 70W (Tc) Through Hole TO-220AB
- Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
- 10A (Tc)
Samankaltaisia tuotteita
- STMicroelectronics STP10NM60N
- STP10NM60N-tietolomake
- STP10NM60N-tietolomake
- STP10NM60N pdf -taulukko
- Lataa STP10NM60N-tietolomake
- STP10NM60N-kuva
- STP10NM60N osa
- ST STP10NM60N
- STMicroelectronics STP10NM60N