Suomi

Valitse kieli

EnglishRepublika e ShqipërisëالعربيةGaeilgeEesti VabariikEuskeraБеларусьБългарски езикíslenskapolskiAfrikaansDanskDeutschрусскийFrançaisPilipinoSuomiҚазақша한국의NederlandČeštinaHrvatskaLatviešulietuviųromânescMelayuMaoriবাংলা ভাষারမြန်မာKongeriketPortuguêsپښتوSvenskaCрпскиසිංහලSlovenskáSlovenijaภาษาไทยTürk diliاردوУкраїнаO'zbekespañolעִבְרִיתΕλλάδαMagyarországItaliaIndonesiaTiếng Việt

Luokat

  1. Integroidut piirit (IC)

    Integroidut piirit (IC)

  2. Discrete Semiconductor Products
  3. kondensaattorit
  4. RF / IF ja RFID
  5. vastukset
  6. Anturit, muuntimet

    Anturit, muuntimet

  7. releet
  8. Virtalähteet - Board Mount
  9. Eristeet
  10. Induktorit, kelat, kuristimet
  11. Liittimet, Liitännät

    Liittimet, Liitännät

  12. Piirin suojaus
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > STP10NM50N
STP10NM50N
STMicroelectronics

STP10NM50N

STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 7A TO220
Lyijytön / RoHS -yhteensopiva

Pyydä hinta & lead time

STP10NM50N ovat käytettävissä, voimme toimittaa STP10NM50N, käytä pyyntö lainaus lomaketta pyytää STP10NM50N pirce ja läpimenoaika.Atosn.com on ammattimainen elektronisten komponenttien jakelija.Meillä on suuri varastomäärä ja voimme toimittaa sen nopeasti, ota meihin yhteyttä jo tänään, ja myyntiedustajamme antaa sinulle hinnan ja toimituksen yksityiskohdat osassa STP10NM50N.ja tekninen tiimi, odotamme innolla yhteistyötä kanssasi.


Pyydä tarjous

  • Osanumero:
  • Määrä:
  • Tavoitehinta:(USD)
  • Yhteyshenkilön nimi:
  • Sähköpostisi:
  • Puh:
  • Kommentit:

Tuoteparametrit

Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Vgs (Max)
±25V
teknologia
MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package
TO-220
Sarja
MDmesh™ II
RDS (Max) @ Id, Vgs
630 mOhm @ 3.5A, 10V
Tehonkulutus (Max)
70W (Tc)
Pakkaus
Tube
Pakkaus / Case
TO-220-3
Muut nimet
497-10770-5
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL)
1 (Unlimited)
Lyijytön tila / RoHS-tila
Lead free / RoHS Compliant
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
450pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
17nC @ 10V
FET tyyppi
N-Channel
FET Ominaisuus
-
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Valua lähde jännite (Vdss)
500V
Yksityiskohtainen kuvaus
N-Channel 500V 7A (Tc) 70W (Tc) Through Hole TO-220
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
7A (Tc)

Samankaltaisia ​​tuotteita